{"id":44,"date":"2013-06-15T23:23:36","date_gmt":"2013-06-15T23:23:36","guid":{"rendered":"http:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/?p=44"},"modified":"2013-06-15T23:23:36","modified_gmt":"2013-06-15T23:23:36","slug":"tipos-de-transistores","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/2013\/06\/15\/tipos-de-transistores\/","title":{"rendered":"Tipos de Transistores"},"content":{"rendered":"

Transistor de contacto puntual:\u00a0Llamado tambi\u00e9n\u00a0<\/span>transistor de punta de contacto<\/em>, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de \u00a0germanio<\/span>, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinaci\u00f3n cobre u oxido de cobre<\/span>, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas met\u00e1licas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se \u00abve\u00bb en el colector, de ah\u00ed el nombre de \u00ab<\/span>transfer resistor<\/em>\u00bb. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su d\u00eda. Es dif\u00edcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), fr\u00e1gil (un golpe pod\u00eda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi\u00f3 con el transistor de uni\u00f3n (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.<\/span><\/strong><\/p>\n

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Transistor de uni\u00f3n bipolar :\u00a0El transistor de uni\u00f3n bipolar, o BJT por sus siglas en ingl\u00e9s, se fabrica b\u00e1sicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o \u00a0arseniuro de galio<\/span>, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre \u00a0conductores\u00a0<\/span>como los \u00a0metales\u00a0<\/span>y los \u00a0aislantes\u00a0<\/span>como el \u00a0diamante<\/span>. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.<\/span><\/strong><\/p>\n

La zona N con elementos donantes de \u00a0electrones\u00a0(cargas negativas) y la zona P de aceptadores o \u00abhuecos\u00bb (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al \u00a0Indio\u00a0(In), Aluminio\u00a0(Al) o Galio\u00a0(Ga) y donantes N al Ars\u00e9nico\u00a0(As) o F\u00f3sforo\u00a0(P).<\/strong><\/p>\n

La configuraci\u00f3n de uniones de PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracter\u00edstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminaci\u00f3n entre ellas (por lo general, el emisor est\u00e1 mucho m\u00e1s contaminado que el colector).<\/strong><\/p>\n

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender\u00e1 de dichas contaminaciones, de la geometr\u00eda asociada y del tipo de tecnolog\u00eda de contaminaci\u00f3n (difusi\u00f3n gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cu\u00e1ntico de la uni\u00f3n.<\/strong><\/p>\n

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Transistor de efecto de campo:\u00a0El transistor de efecto de campo de uni\u00f3n (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la pr\u00e1ctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto \u00f3hmico, tenemos as\u00ed un transistor de efecto de campo tipo N de la forma m\u00e1s b\u00e1sica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s\u00ed, se producir\u00e1 una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando\u00a0<\/span>tensi\u00f3n\u00a0positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizaci\u00f3n cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensi\u00f3n de estrangulamiento, cesa la conducci\u00f3n en el canal.<\/span><\/strong><\/p>\n

El \u00a0transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingl\u00e9s, que controla la corriente en funci\u00f3n de una tensi\u00f3n; tienen alta \u00a0impedancia\u00a0de entrada.<\/strong><\/p>\n

<\/strong>Transistor de efecto de campo de uni\u00f3n, JFET, construido mediante una uni\u00f3n PN.<\/strong><\/p>\n

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se a\u00edsla del canal mediante un \u00a0diel\u00e9ctrico.<\/strong><\/p>\n

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde\u00a0MOS<\/em>\u00a0significa Metal-\u00d3xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es met\u00e1lica y est\u00e1 separada del canal semiconductor por una capa de \u00f3xido.<\/strong><\/p>\n

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Foto transistor:\u00a0Los\u00a0foto transistores\u00a0son sensibles a la\u00a0radiaci\u00f3n\u00a0electromagn\u00e9tica\u00a0<\/span>\u00a0en frecuencias cercanas a la de la luz<\/span>\u00a0visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, s\u00f3lo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:<\/span><\/strong>
\nComo un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo com\u00fan);<\/strong>
\nComo fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminaci\u00f3n).<\/strong><\/p>\n

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Transistor de contacto puntual:\u00a0Llamado tambi\u00e9n\u00a0transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de \u00a0germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinaci\u00f3n cobre u oxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas met\u00e1licas […]<\/p>\n","protected":false},"author":8656,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[10245],"tags":[],"class_list":["post-44","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-elementos-electronicos"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/44","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/users\/8656"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=44"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/44\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":46,"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/44\/revisions\/46"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=44"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=44"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/blog.espol.edu.ec\/johnvilla\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=44"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}