Errores en memoria DRAM pueden afectar a data centers
Un estudio reciente publicado por una profesora de la Universidad de Toronto y gente de Google ha encontrado que los errores en memoria DRAM (memoria principal) son mucho más comúnes de lo que se pensaba anteriormente. Esto tiene implicaciones importantes en los sistemas actuales, sobre todo para data centers implementados con componentes de bajo costo (los cuales vienen sin mecanismos de corrección de errores para la RAM).
A continuación, listo las conclusiones finales de la investigación:
- We found the incidence of memory errors and the range of error rates across different DIMMs to be much higher than previously reported.
- Memory errors are strongly correlated.
- The incidence of CEs increases with age, while the incidence of UEs decreases with age (due to re-placements).
- There is no evidence that newer genera-tion DIMMs have worse error behavior.
- Within the range of temperatures our production systems experience in the field, temperature hasa surprisingly low effect on memory errors.
- Error rates are strongly correlated withutilization.
- Error rates are unlikely to be dominatedby soft errors.
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